Однопоточная производительность
62
Многопоточная производительность
37
Интегрированная графика
28
Технические характеристики
Полные характеристики и тесты всех компонентов
смартфона Intel Core 5 220H
Cinebench R23 (одноядерный)
1815
Cinebench R23 (многоядерный)
12252
Cinebench 2024 (одноядерный)
103
Cinebench 2024 (многоядерный)
703
Geekbench 6 (одноядерный)
2501
Geekbench 6 (многоядерный)
12247
Passmark CPU (одноядерный)
2799
Passmark CPU (многоядерный)
19871
Производительность на Ватт
Cinebench 2024 / Ватт |
15.6 PPW
|
Geekbench 6 Multi / Ватт |
272.2 PPW
|
Passmark CPU Mark / Ватт |
441.6 PPW
|
Производительные ядра
Ядер |
4
|
Потоков |
8
|
Частота |
2.7 ГГц
|
Макс. частота в Turbo Boost |
4.9 ГГц
|
Энергоэффективные ядра
Ядер |
8
|
Потоков |
8
|
Частота |
2.0 ГГц
|
Макс. частота в Turbo Boost |
3.7 ГГц
|
Общее
Количество ядер |
12
|
Количество потоков |
16
|
Частота шины |
100 МГц
|
Множитель |
27x
|
Кэш 1-го уровня |
80КБ (на ядро)
|
Кэш 2-го уровня |
2МБ (на ядро)
|
Кэш 3-го уровня |
18МБ (общий)
|
Разблокированный множитель |
Нет
|
Техпроцесс |
10 нанометров
|
Энергопотребление (TDP) |
35-45 Вт
|
Макс. TDP (Boost) |
115 Вт
|
Сокет |
BGA-1744
|
Критическая температура |
100°C
|
Интегрированная графика |
Intel UHD Graphics Xe G4 (80EU)
|
Частота GPU |
300 МГц
|
Boost частота GPU |
1500 МГц
|
Шейдерные блоки |
640
|
TMUs |
40
|
ROPs |
20
|
Вычислительные блоки |
80
|
TGP |
15 Вт
|
Тип памяти |
- DDR5-5200 - DDR4-3200 - LPDDR5-5200 - LPDDR5x-5200 - LPDDR4x-4267
|
Макс. размер |
96 ГБ
|
Количество каналов |
2
|
Поддержка ECC |
Нет
|
0 из 0 баллов (0 голосов)
Поделитесь своим мнением об использовании девайса или задайте вопрос в комментариях ниже